Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

#1400 - в категории SSD накопители
#55863 - в категории Ноутбуки и компьютеры
Код товара: P00627DO
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №6
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №7
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №8
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №6
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №7
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, миниатюра №8
  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    1 ТБ
  • Тип флеш-памяти
    V-NAND
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-E
  • Наработка на отказ
    1.5 млн. ч
Нет в наличии

Хотите продавать на Synthetic?
Зарегистрируйтесь продавцом.

Характеристики Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

  • Тип SSDвнутренний
  • Емкость диска1 ТБ
  • Форм-факторM.2
  • Тип флеш-памятиV-NAND
  • Интерфейсы и подключенияPCI-E
  • Скорость чтения, макс.3400 Мб/с
  • Скорость записи, макс.2500 Мб/с
  • Наработка на отказ1.5 млн. ч
  • Габариты80.15 x 22.15 x 2.38 мм
  • Вес8 г
  • Страна производстваЮжная Корея
  • БрендSamsung