Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW
- Тип SSDвнутренний
- Емкость диска1 ТБ
- Тип флеш-памятиV-NAND
- Интерфейсы и подключенияPCI-E
- Наработка на отказ1.5 млн. ч
Характеристики Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW
- Тип SSDвнутренний
- Емкость диска1 ТБ
- Форм-факторM.2
- Тип флеш-памятиV-NAND
- Интерфейсы и подключенияPCI-E
- Скорость чтения, макс.3400 Мб/с
- Скорость записи, макс.2500 Мб/с
- Наработка на отказ1.5 млн. ч
- Габариты80.15 x 22.15 x 2.38 мм
- Вес8 г
- Страна производстваЮжная Корея
- БрендSamsung