Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

#1523 - в категорії SSD накопичувачі
Код товару: P00627DO
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №6
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №7
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №8
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №6
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №7
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №8
  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    1 ТБ
  • Тип флеш-памяти
    V-NAND
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-Express
  • Наработка на отказ
    1.5 миллиона часов
Немає в наявності

4 024 ГРН

Новий

Бажаєте продавати на Synthetic?
Зареєструйтесь продавцем.

Офлайн

Опис Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-V7E1T0BW)

Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 EVO обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая технология V-NAND, новый контроллер Phoenix и технология Intelligent TurboWrite расширяют игровые возможности и возможности редактирования графики формата 4K и 3D.


Почувствуйте разницу с интерфейсом NVMe. Благодаря новому контроллеру Phoenix и технологии Intelligent TurboWrite накопитель серии 970 EVO оптимизирует высокопроизводительные игры и ресурсоемкие процессы, связанные с обработкой графики. Вы можете достичь впечатляющих скоростей на операциях последовательного чтения/записи 3500/2500 МБ/с*, что на 32% выше, чем в предыдущем поколении.


Новое достижение в SSD накопителях с интерфейсом NVMe. Накопители серии 970 EVO обладают емкостью до 2 ТБ в компактном форм-факторе M.2 (2280), что значительно экономит пространство для других компонентов. Инновационная технология Samsung дает вам возможность делать больше и добиваться большего.


Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-V7E1T0BW) может похвастать ресурсом записи до 1,200 TBW* с 5-летней, что на 50 процентов превышает соответствующий показатель SSD накопителей предыдущего поколения. Такой ресурс стал возможным благодаря новейшей технологии V-NAND и качеству от Samsung.

Характеристики Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    1 ТБ
  • Форм-фактор SSD
    M.2
  • Тип флеш-памяти
    V-NAND
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-Express
  • Скорость чтения, макс.
    3400 Mb/s
  • Скорость записи, макс.
    2500Mb/s
  • Наработка на отказ
    1.5 миллиона часов
  • Габариты
    80.15 x 22.15 x 2.38 мм
  • Вес
    8 г
  • Страна производства
    Южная Корея
  • Бренд
    Samsung

Відгуки про товар Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW