Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

#1400 - в категорії SSD накопичувачі
#55863 - в категорії Ноутбуки та комп'ютери
Код товару: P00627DO
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №6
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №7
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №8
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №6
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №7
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW, мініатюра №8
  • Тип SSD
    внутрішній
  • Ємність диска
    1 ТБ
  • Тип флеш-пам’яті
    V-NAND
  • Інтерфейси і підключення
    PCI-E
  • Напрацювання на відмову
    1.5 млн. ч
Немає в наявності

Бажаєте продавати на Synthetic?
Зареєструйтесь продавцем.

Характеристики Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW

  • Тип SSDвнутрішній
  • Ємність диска1 ТБ
  • Форм-факторM.2
  • Тип флеш-пам’ятіV-NAND
  • Інтерфейси і підключенняPCI-E
  • Швидкість читання, макс.3400 Мб/с
  • Швидкість запису, макс.2500 Мб/с
  • Напрацювання на відмову1.5 млн. ч
  • Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм
  • Вага8 г
  • Країна виробництваПівденна Корея
  • БрендSamsung