Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW
- Тип SSDвнутрішній
- Ємність диска1 ТБ
- Тип флеш-пам’ятіV-NAND
- Інтерфейси і підключенняPCI-E
- Напрацювання на відмову1.5 млн. ч
Характеристики Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 V-NAND 3bit MLC MZ-V7E1T0BW
- Тип SSDвнутрішній
- Ємність диска1 ТБ
- Форм-факторM.2
- Тип флеш-пам’ятіV-NAND
- Інтерфейси і підключенняPCI-E
- Швидкість читання, макс.3400 Мб/с
- Швидкість запису, макс.2500 Мб/с
- Напрацювання на відмову1.5 млн. ч
- Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм
- Вага8 г
- Країна виробництваПівденна Корея
- БрендSamsung