Внутренний накопитель Transcend SSD M.2 2280 480GB TS480GMTS820S

Твердотельный накопитель MTE820 предназначен для оснащения высокопроизводительных систем, использующихся для задач, которые требуют максимального уровня готовности и не допускают малейших задержек — рабочих станций для обработки аудио и видео, игровых ПК, а также корпоративных решений.

Построенные на базе флэш-памяти 3D TLC NAND, твердотельные накопители MTE820 M.2 не только обеспечивают высокую скорость передачи данных, но также демонстрируют высочайший уровень надежности.

Твердотельные накопители Transcend MTE820 выполнены в форм-факторе M.2, оснащены интерфейсом PCIe Gen3 x4 и соответствуют всем требованиям стандарта NVMe 1.2 и для одновременной передачи и приема данных используются четыре линии, что суммарно обеспечивает пропускную способность до 1370 МБ/с при чтении и 830 МБ/с при записи.

Интерфейс PCIe (или PCI Express) используется для соединения хост-компьютера с твердотельными накопителями. Данный интерфейс использует одну или более линий, по каждой из которых осуществляются передача и прием данных, и отличается от SATA (или Serial ATA) значительно более высокой производительностью, что позволяет ему в лучшей степени соответствовать требованиям современных высокоскоростных систем и устройств.

NVMe (или NVM Express) — это интерфейс хост-контроллера, созданный для использования в корпоративных и клиентских системах, которые оснащены твердотельными накопителями с интерфейсами PCI Express. Стандарт NVMe подразумевает более высокий уровень производительности, чем AHCI (Advanced Host Controller Interface), в том числе, он содержит требования относительно масштабирования пропускной способности, большего количества операций ввода/вывода в секунду и минимизации задержек.

В отличие от прежних, плоских по своей структуре микросхем NAND, ячейки флэш-чипов 3D NAND располагаются в нескольких плоскостях и могут находиться одна над другой. Технология 3D NAND призвана преодолеть существующие ограничения плотности размещения ячеек флэш-памяти, а также повысить уровень производительности и долговечности этого типа памяти.