Комплектующие — Страница 65.
Жесткие диски 
SSD накопители 
Материнские платы 
Оперативная память 
Процессоры 
Видеокарты 
Блоки питания для ПК 
Системы охлаждения 
Звуковые карты 
Оптические приводы 
Источники бесперебойного питания 
Корпуса для системных блоков 
Другие комплектующие 
Аккумуляторы для ИБП 
Комплектующие для систем охлаждения ПК
Модуль памяти для компьютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz IRDM Black Goodram (IR-X3200D464L16A/32GDC)
18 926
17 793
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
19 703
17 855
- 1.75 млн. часов - Наработка на отказ
19 826
17 943
- dDR5 - Тип памяти
- 24 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL40-48-48-96 - Тайминги
19 107
18 092
- непрерывного действия (on line) - Тип архитектуры
- 0 - Время перехода на батарею, мс
- 6 - Количество АКБ
19 569
18 213
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18 - Тайминги
18 471
18 225
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
18 700
18 230
- 1.5 млн. часов - Наработка на отказ
35 929
18 265
- 1.75 млн. часов - Наработка на отказ
18 505
18 321
- dDR5 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL40-40-40 - Тайминги
19 933
18 402
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18 - Тайминги
18 713
18 526
- dDR5 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL36-38-38 - Тайминги
20 121
18 593
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-4 - Время перехода на батарею, мс
- 3 - Количество АКБ
18 636
18 595
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2 - Количество АКБ
19 692
18 681
- 1.5 млн. часов - Наработка на отказ
19 029
18 689
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 4 мс - Время перехода на батарею, мс
- 2 - Количество АКБ
19 096
18 842
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL18 - Тайминги
19 073
18 882
- dDR5 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL30-36-36 - Тайминги
19 484
19 131
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-4 - Время перехода на батарею, мс
- 3 - Количество АКБ
20 704
19 155
- dDR5 - Тип памяти
- 24 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL36-46-46-115 - Тайминги
20 443
19 281
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18-22-22 - Тайминги
20 477
19 313
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16-18-18 - Тайминги
19 701
19 437
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-4 - Время перехода на батарею, мс
- 2 - Количество АКБ
20 742
19 566
- 1.5 млн. часов - Наработка на отказ
22 008
19 865
- dDR5 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL40 - Тайминги
22 790
19 901
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 6 - Количество АКБ
22 190
19 952
- dDR5 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL46-45-45 - Тайминги
20 868
20 098
- непрерывного действия (on line) - Тип архитектуры
- 0 - Время перехода на батарею, мс
- 6 - Количество АКБ
20 341
20 193
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18-22-22 - Тайминги
22 090
20 194
- 2 млн.часов - Наработка на отказ
21 267
20 390
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18-22-22 - Тайминги
20 519
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 6-10 мс - Время перехода на батарею, мс
- 4 - Количество АКБ
20 775
20 568
- dDR4 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL22 - Тайминги
21 126
- dDR5 - Тип памяти
- 32 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL46-46-46-90 - Тайминги
26 595
21 267
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 1 - Количество АКБ
21 406
21 359
- 1.5 млн. часов - Наработка на отказ