Комплектующие — Страница 57.

Жесткие диски 
SSD накопители 
Материнские платы 
Оперативная память 
Процессоры 
Видеокарты 
Блоки питания для ПК 
Системы охлаждения 
Звуковые карты 
Оптические приводы 
Источники бесперебойного питания 
Корпуса для системных блоков 
Другие комплектующие 
Аккумуляторы для ИБП 
Комплектующие для систем охлаждения ПК
7 249
6 984
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
7 049
6 984
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL17 - Тайминги
8 593
6 984
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 6-10 мс - Время перехода на батарею, мс
- 1 - Количество АКБ
7 165
7 045
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
7 406
7 056
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
7 152
7 056
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-6 мс - Время перехода на батарею, мс
7 762
7 091
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL19 - Тайминги
7 488
7 137
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
7 924
7 137
- непрерывного действия (on line) - Тип архитектуры
- 4 мс - Время перехода на батарею, мс
7 971
7 152
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
7 409
7 159
- 1.5 млн. часов - Наработка на отказ
8 094
7 290
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL22-22-22 - Тайминги
7 806
7 339
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL16-18-18 - Тайминги
11 148
7 339
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL22-22-22 - Тайминги
8 846
7 409
- dDR5 - Тип памяти
- 8 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL40-40-40 - Тайминги
8 876
7 458
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-4 - Время перехода на батарею, мс
- 2 - Количество АКБ
7 510
7 484
- dDR4 - Тип памяти
- 4 ГБ - Объем памяти
- 1 - Количество модулей в наборе
- cL17 - Тайминги
7 890
7 484
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
8 608
7 484
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
9 492
7 512
- резервный (off line) - Тип архитектуры
- 6 - Время перехода на батарею, мс
- 1 - Количество АКБ
9 394
7 517
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-4 - Время перехода на батарею, мс
9 676
7 559
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18 - Тайминги
10 038
7 587
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL16 - Тайминги
10 216
7 587
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL22-22-22 - Тайминги
7 619
7 602
- 12 - Количество разъемов SATA
7 668
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-6 мс - Время перехода на батарею, мс
7 802
7 699
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 2-4 - Время перехода на батарею, мс
9 874
7 703
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL19 - Тайминги
8 939
7 714
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL18 - Тайминги
8 299
7 752
- 1.5 млн. часов - Наработка на отказ
9 737
7 816
- непрерывного действия (on line) - Тип архитектуры
8 580
7 882
- 1.75 млн. часов - Наработка на отказ
7 987
7 890
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- ≤ 10 мс - Время перехода на батарею, мс
8 038
7 940
- линейно-интерактивный (line interactive) - Тип архитектуры
- 4 мс - Время перехода на батарею, мс
8 401
7 967
- dDR4 - Тип памяти
- 16 ГБ - Объем памяти
- 2 - Количество модулей в наборе
- cL22-22-22 - Тайминги

































































