Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR

#8144 - в категорії SSD накопичувачі
Код товару: P00093RE
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №1
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №2
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №3
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №4
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №5
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №1
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №2
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №3
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №4
Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR, мініатюра №5
  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    512 ГБ
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-Express
  • Наработка на отказ
    1.8 миллиона часов
  • Тип флеш-памяти
    3D NAND TLC
Немає в наявності

2 643 ГРН

Новий

Бажаєте продавати на Synthetic?
Зареєструйтесь продавцем.

Офлайн

Опис Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR

Накопитель SSD M.2 2280 512GB GIGABYTE (GP-ASM2NE2512GTTDR)

Твердотельные PCIe M.2-накопители компании GIGABYTE функционируют в рамках протокола NVMe, при этом для нужд устройства могут быть задействованы линии шинного интерфейса PCIe 3.0 x2, в результате дисковая подсистема демонстрирует значительно более высокое быстродействие по сравнению с типовыми устройствами хранения данных на базе SATA- интерфейса. 

Все накопители в составе дисковой подсистемы материнских плат GIGABYTE проходят строгое стресс-тестирование с целью подтверждения заявленной в характеристиках производительности. 

Кроме того, накопители поддерживают прогрессивные технологии TRIM и S.M.A.R.T, средствами которым достигается исключительная надежность и долговечность, а также стабильная работа изделия на протяжении всего срока службы. Благодаря технологии HMB (Host Memory Buffer) и тщательно протестированной TLC флэш-памятью, новые устройства хранения данных GIGABYTE демонстрируют великолепную производительность на фоне очень конкурентоспособный цены.

Твердотельный накопитель PCIe M.2 компании GIGABYTE утилизирует линий PCI Gen3 x2 и с полным основанием может позиционироваться в качестве базового устройства для дисковой подсистемы современного ПК, обладая превосходными характеристиками, на фоне великолепной производительности и чрезвычайно привлекательной стоимости.

Характеристики Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR

  • Скорость чтения, макс.
    3480Mb/s
  • Скорость записи, макс.
    2000Mb/s
  • Страна производства
    Тайвань
  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    512 ГБ
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-Express
  • Наработка на отказ
    1.8 миллиона часов
  • Тип флеш-памяти
    3D NAND TLC
  • Форм-фактор SSD
    M.2
  • Бренд
    Gigabyte

Відгуки про товар Внутренний накопитель Gigabyte 512 ГБ M.2 PCI-E 3.0 x4 3D TLC GP-ASM2NE2512GTTDR