SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW)

Код: CS01150471
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №1
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №2
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №3
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №4
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №5
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №0
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №1
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №2
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №3
SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW), мініатюра №4
    3 673
    Готовий до відправки
    • Кешбек +73 бонуси

    • Повернення 14 днів

    Tehnopostavka
    Продавець Tehnopostavka
    11 відгуків, 100% позитивних

    Опис SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW)

    Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW) – високопродуктивний твердотільний накопичувач, за допомогою якого можна не тільки зберігати великі обсяги даних, але також прискорити роботу комп'ютера та програм. Пристрій виготовлено з інтерфейсом M.2 і може встановлюватися як на відповідні материнські плати, так і ноутбуки. У Samsung 980 1TB (MZ-V8V1T0BW) використовуються V-NAND 3-bit MLC, які доповнені контролером Samsung Pablo. Загальний обсяг пам'яті накопичувача становить 1000 ГБ. Максимально досяжна швидкість читання становить 3500 МБ/с, записи — 3000 МБ/с. Ресурс запису Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW) досягає 600 ТБ, а середній час безвідмовної роботи - 1,5 млн годин

    Лінійка: 980
    Тип: SSD накопичувач
    Об'єм, ГБ: 1000
    Інтерфейс: M.2 (PCI-E 3.0)
    Тип флеш-пам'яті: V-NAND 3-bit MLC
    Контролер: Samsung Pablo
    Підтримка TRIM: є
    Форм-фактор: M.2 2280
    Максимальна швидкість читання, МБ/с: 3500
    Максимальна швидкість запису, МБ/с: 3000

    Характеристики SSD накопичувач Samsung 980 1 TB (MZ-V8V1T0BW)

    • Вага (г)8
    • Розміри (мм)80,15x22,15x2,38
    • Для сервераНі
    • Ресурс запису (tbw) (tb)600
    • Швидкість випадкового запису блоками 4kb (iops)480000
    • Тип флеш-пам’ятіV-NAND
    • Інтерфейси і підключенняPCI-E 3.0 x4
    • Форм-факторM.2 2280
    • Напрацювання на відмову1.5 млн. г
    • Швидкість запису, макс.3000 Мб/с
    • Швидкість читання, макс.3500 Мб/с
    • БрендSamsung
    • КонтролерСамсунг Пабло
    • Стійкість до ударів1500G/0,5 мс
    • SKU115954