Транзистор може харчуватися від 6,8 В - 12 В постійного струму. Цього можна досягти за допомогою шаруватої батареї 9В. Дві послідовно з'єднані літій-іонні батареї 3,7 або адаптер змінного струму. При включенні струм становить близько 30 мА при постійній напрузі 9 ст.
Тестер транзисторів керується імпульсним датчиком, що обертається, з перемикачем (RPEWS). Є 4 режими роботи - коротке натискання на ручку, тривале натискання, поворот ручки вліво та вправо. При короткому натисканні вмикається транзистор і починається тест. Він автоматично вимкнеться після закінчення тесту. Тривале натискання та поворот ліворуч або праворуч активує меню функцій. Використовуйте >, щоб вибрати пункти. Натисніть та утримуйте ручку, щоб вийти з меню функцій.
Транзистор має 3 точки тестування, TP1, TP2 та TP3, розташовані у тестовому гнізді. Праворуч від тестового гнізда знаходиться тестовий майданчик SMT із ідентифікаційними номерами.
Увага: Щоб уникнути пошкоджень, обов'язково розрядіть конденсатори перед підключенням до тестера. Особлива обережність потрібна, якщо ви намагаєтеся перевірити компоненти, встановлені в ланцюзі. У будь-якому випадку обладнання має бути відключене від джерела живлення, і ви повинні бути впевнені, що в обладнанні не залишилося залишкового напруги.
Самотестування та калібрування:
Самотестування можна підготувати, з'єднавши всі три контрольні точки разом і натиснувши RPEWS. Щоб розпочати самотестування, необхідно повторно натиснути RPEWS протягом 2 секунд. Тестер запросить наступний крок. Дочекайтеся підказки "isolate probes" та від'єднайте контрольні точки. Тестер незабаром покаже "1-||-3> 100nf". Для останнього завдання калібрування необхідний конденсатор із будь-якою ємністю від 100нФ до 20мкФ, підключений до висновків 1 і 3. Підключіть конденсатор після появи цього тексту. За допомогою цього конденсатора напруга зміщення аналогового компаратора компенсується для кращого вимірювання значень ємності.
Поради:
Зазвичай тестер показує напругу батареї під час кожного запуску. Якщо напруга падає нижче встановленої межі, з'являється попередження. Якщо ви використовуєте батарею, що перезаряджається 9 В, її слід замінити якнайшвидше або перезарядити. Якщо ви намагаєтеся виміряти малі значення резисторів, слід пам'ятати про опір штепсельних роз'ємів та кабелів. Якість і стан штепсельних роз'ємів має велике значення, як і опір кабелів, використовуваних для виміру. Те саме стосується і вимірювання ESR конденсаторів. При використанні поганого з'єднувального кабелю значення ESR 0,02 Ом може зрости до 0,61 Ом. Не варто очікувати дуже високої точності результатів вимірювань, особливо ESR і результати вимірювання індуктивності не дуже точні.
Компоненти із проблемами:
Інтерпретуючи результати вимірювань слід пам'ятати, що схема тестера транзисторів призначена для напівпровідників з малим сигналом. У нормальних умовах вимірювання струм вимірювання може досягати близько 6 мА. Тестер часто не може забезпечити достатній струм запалення або утримання для силових тиристорів або симісторів. Тому тиристор може бути визначений як NPN транзистор або діод, або визначений як невідомий.
Іншою проблемою є ідентифікація напівпровідників із вбудованими резисторами. Так, базовий емітерний діод транзистора BU508D не може бути визначений паралельно підключеного внутрішнього резистора 42 Ом. Тому перевірити роботу транзистора неможливо. Проблема виявлення також виникає з силовими транзисторами Дарлінгтона. Часто зустрічаються внутрішні резистори база-емітер, що ускладнює ідентифікацію компонента із заниженим струмом виміру.
Вимірювання транзисторів PNP і NPN:
Для нормального вимірювання три виведення транзистора підключаються в будь-якому порядку до вимірювальних входів транзисторів тестера. Після натискання кнопки RPEWS тестер показує в рядку 1 тип (NPN або PNP), можливий вбудований захисний діод на колектор - емітер і послідовність висновків. Символ діод показаний з правильною полярністю. У рядку 2 показаний коефіцієнт посилення струму (hfe=...) і гранична напруга База - Еміттер. Тестер може вимірювати коефіцієнт посилення за допомогою двох різних схем, із загальним емітером та загальним колектором (Emitter follower). На РК-екрані відображається лише вищий результат. У германієвих транзисторів часто вимірюється струм відсікання колектора ICEO зі струмом менше бази або залишковий струм колектора ICES з утриманням бази на рівні емітера.
Вимірювання JFET і D-MOS транзисторів:
Оскільки структура транзистора типу JFET симетрична, витік і стік цього транзистора неможливо знайти різними. Зазвичай одним із параметрів цього транзистора є струм транзистора, у якого затвор знаходиться на одному рівні з витоком. Цей струм часто вищий, ніж струм, який може бути досягнутий за допомогою вимірювальної схеми тестера транзисторів з резистором 680 Ом.З цієї причини резистор 680 Ом включаєся до початку. Таким чином, затвор отримує зі зростанням струму негативну напругу усунення. Тестер повідомляє струм витоку цього ланцюга та додатково напругу зсуву затвора. Тому різні моделі можуть відрізнятись. D-MOS транзистори (тип збіднення) вимірюються тим самим способом.
Ви повинні знати, що для покращених МОП-транзисторів (P-E-MOS або N-E-MOS) вимірювання порогової напруги затвора (Vth) складніше за малих значень ємності затвора. Ви можете отримати краще значення напруги, якщо підключіть конденсатор ємністю кілька нФ паралельно затвору/джерелу. Порогову напругу затвора можна визначити при струмі стоку близько 3,5 мА для P-E-МОП і близько 4 мА для N-E-МОП.
1. Вимкнути
При введенні цієї функції тестер негайно вимкнеться.
2. Транзистор
Перевірка транзистора, це також стандартна функція при включенні.
3. Частота
Вимірювання частоти Для частот нижче 25 кГц за звичайним виміром слід вимір часу періоду. Цей додатковий вимір слідує лише після звичайного вимірювання частоти.
4.f-Генератор
Генерація сигналу, ця функція може видавати квадратні хвилі з різною частотою на вибір.
5. 10-бітна ШІМ
Функція "10-бітна ШІМ" (широтно-імпульсна модуляція) генерує фіксовану частоту (7812,5 Гц) з імпульсом, що вибирається.
