Опис ESR LCR тестер GM328A
GM328A зібраний транзистор тестер LCR диод ESR потужність мірач
Опис :
Транзистор може поїсти від 6,8 В до 12 В постійного струму.Це можна досягти за допомогою слойної батареї 9В.Дві послідовно підключені літій-іонні батареї 3,7 В або адаптер змінного струму.При включенні струм становить близько 30 мА при постійному напруженні 9 В.
Тестер транзисторів керується «обертаючим імпульсним датчиком з переключачем» (RPEWS).Існує 4 режими роботи - коротке натискання на ручку, тривалий натискання, обертання ручки вліво і вправо.При короткому натисканні вводиться транзистор і починається тест.Він автоматично вимкнеться після закінчення тестування.Довгий натиск і обертання вліво або вправо активує меню функцій.Використовуйте для вибору пунктів.Натисніть і тримайте ручку, щоб вийти з меню функцій.
Транзистор має 3 пункти тестування, TP1, TP2 і TP3, розташовані в тестовому гнізі.Право від тестового гнізда знаходиться тестовий майданчик SMT з ідентифікаційними номерами.
Зверніть увагу: Для того, щоб уникнути пошкоджень, обов'язково розчиняйте конденсатори перед підключенням до тестеру.Особлива обережність необхідна, якщо ви намагаєтеся перевірити компоненти, встановлені в ланцюзі.У будь-якому випадку обладнання повинно бути відключено від джерела енергії, і ви повинні бути впевнені, що в обладнанні не залишилося решти напруги.
Самотестування та калібрівання:
Самотестування можна підготувати, об'єднавши всі три контрольні пункти разом і натиснувши на RPEWS.Для того, щоб почати самотестування, потрібно знову натиснути RPEWS протягом 2 секунд.Тестер вимагає наступного кроку.Очікуйте вказівки "isolate probes" і від'єднайте контрольні пункти.Тестер найближчим часом покаже "1 - <3> > 100nf".Для останньої задачі калібрування потрібен конденсатор з будь-якою потужністю від 100нФ до 20мкФ, підключений до витоків 1 і 3.Підключіть конденсатор після появи цього тексту.За допомогою цього конденсатора напруга переміщення аналогічного компаратора буде компенсовано для кращого вимірювання значень потужності.
Самотестування можна підготувати, об'єднавши всі три контрольні пункти разом і натиснувши на RPEWS.Для того, щоб почати самотестування, потрібно знову натиснути RPEWS протягом 2 секунд.Тестер вимагає наступного кроку.Очікуйте вказівки "isolate probes" і від'єднайте контрольні пункти.Тестер найближчим часом покаже "1 - <3> > 100nf".Для останньої задачі калібрування потрібен конденсатор з будь-якою потужністю від 100нФ до 20мкФ, підключений до витоків 1 і 3.Підключіть конденсатор після появи цього тексту.За допомогою цього конденсатора напруга переміщення аналогічного компаратора буде компенсовано для кращого вимірювання значень потужності.
Радість :
Як правило, тестер показує напругу батареї при кожному запуску.Якщо напруга падає нижче встановленого межі, відображається попередження.Якщо ви використовуєте перезавантажувану батарею 9 В, вона повинна бути замінена якнайшвидше або перезавантажена.Якщо ви намагаєтеся вимірювати невеликі значення резисторів, слід пам’ятати про стійкість штепселних розтягів і кабелів.Якість і стан штепсельних розтягів має велике значення, так само як і стійкість кабелів, що використовуються для вимірювання.Те ж саме стосується і вимірювання ESR конденсаторів.При використанні поганого зв'язкового кабелю вартість ESR в 0,02 Ом може зрости до 0,61 Ом.Не варто очікувати дуже високої точності результатів вимірювання, особливо вимірювання ESR і результати вимірювання індуктивності не дуже точні.
Як правило, тестер показує напругу батареї при кожному запуску.Якщо напруга падає нижче встановленого межі, відображається попередження.Якщо ви використовуєте перезавантажувану батарею 9 В, вона повинна бути замінена якнайшвидше або перезавантажена.Якщо ви намагаєтеся вимірювати невеликі значення резисторів, слід пам’ятати про стійкість штепселних розтягів і кабелів.Якість і стан штепсельних розтягів має велике значення, так само як і стійкість кабелів, що використовуються для вимірювання.Те ж саме стосується і вимірювання ESR конденсаторів.При використанні поганого зв'язкового кабелю вартість ESR в 0,02 Ом може зрости до 0,61 Ом.Не варто очікувати дуже високої точності результатів вимірювання, особливо вимірювання ESR і результати вимірювання індуктивності не дуже точні.
Компоненти з проблемами:
Інтерпретуючи результати вимірювання, слід пам’ятати, що схема тестера транзисторів призначена для півпроводників з невеликим сигналом.В нормальних умовах вимірювання струм вимірювання може досягати лише близько 6 мА.Тестер часто не може забезпечити достатній струм запалення або струм утримання для силових тиристорів або симісторів.Тому тиристор може бути визначений як НПН-транзистор або диод, або визначений як невідомий.
Іншою проблемою є ідентифікація полупроводників з вбудованими резисторами.Так, базовий емітерний диод транзистора BU508D не може бути визначений через паралельно підключений внутрішній резистор 42 Ом.Тому перевірити роботу транзистора неможливо.Проблема з виявленням також виникає з силовими транзисторами Дарлінгтона.Часто зустрічаються внутрішні резистори база-еміттера, що ускладнює ідентифікацію компоненту з заниженим потоком вимірювання.
Інтерпретуючи результати вимірювання, слід пам’ятати, що схема тестера транзисторів призначена для півпроводників з невеликим сигналом.В нормальних умовах вимірювання струм вимірювання може досягати лише близько 6 мА.Тестер часто не може забезпечити достатній струм запалення або струм утримання для силових тиристорів або симісторів.Тому тиристор може бути визначений як НПН-транзистор або диод, або визначений як невідомий.
Іншою проблемою є ідентифікація полупроводників з вбудованими резисторами.Так, базовий емітерний диод транзистора BU508D не може бути визначений через паралельно підключений внутрішній резистор 42 Ом.Тому перевірити роботу транзистора неможливо.Проблема з виявленням також виникає з силовими транзисторами Дарлінгтона.Часто зустрічаються внутрішні резистори база-еміттера, що ускладнює ідентифікацію компоненту з заниженим потоком вимірювання.
Вимірювання транзисторів PNP і NPN:
Для нормального вимірювання три витоки транзистора підключаються в будь-якому порядку до вимірювальних входів тестера транзисторів.Після натискання кнопки RPEWS тестер показує в рядку 1 тип (NPN або PNP), можливий вбудований захисний диод на шляху колектор - емітер і послідовність висновків.Символ диоду відображається з правильною полярністю.У рядку 2 показується коефіцієнт посилення струму (hfe=...)І пороговий напруга База - Емітер.Тестер може вимірювати коефіцієнт посилення за допомогою двох різних схем, з загальним емітером і загальним колектором (Emitter follower).На ЖК-дисплеї відображається тільки більш високий результат.У германійних транзисторів часто вимірюється струм відсечки колектора ICEO з потоком менше бази або залишок струму колектора ICES з утриманням бази на рівні еміттера.
Для нормального вимірювання три витоки транзистора підключаються в будь-якому порядку до вимірювальних входів тестера транзисторів.Після натискання кнопки RPEWS тестер показує в рядку 1 тип (NPN або PNP), можливий вбудований захисний диод на шляху колектор - емітер і послідовність висновків.Символ диоду відображається з правильною полярністю.У рядку 2 показується коефіцієнт посилення струму (hfe=...)І пороговий напруга База - Емітер.Тестер може вимірювати коефіцієнт посилення за допомогою двох різних схем, з загальним емітером і загальним колектором (Emitter follower).На ЖК-дисплеї відображається тільки більш високий результат.У германійних транзисторів часто вимірюється струм відсечки колектора ICEO з потоком менше бази або залишок струму колектора ICES з утриманням бази на рівні еміттера.
Вимірювання JFET і D-MOS транзисторів:
Оскільки структура транзистора типу JFET симетрична, потік і потік цього транзистора не можуть бути різними.Зазвичай одним з параметрів цього транзистора є потік транзистора, у якого затвор знаходиться на одному рівні з джерелом.Цей струм часто вищий, ніж струм, який можна досягти за допомогою вимірювальної схеми тестера транзисторів з резистором 680 Ом.
НерезисторомЗ цієї причини резистор 680 Ом підключається до сходу.Таким чином, в’язниця отримує з зростанням струму негативний напруга переміщення.Тестер повідомляє струм виходу цієї ланцюга і додатково напругу переміщення завісу.Таким чином, різні моделі можуть відрізнятися.D-MOS транзистори (тип знедолення) вимірюються тим самим методом.
Ви повинні знати, що для поліпшених МОП-транзисторів (P-E-MOS або N-E-MOS) вимірювання порогового напруги закриття (Vth) складніше при невеликих значеннях потужності закриття.Ви можете отримати найкращу вартість напруги, якщо підключите конденсатор потужністю декількох нФ паралельно замку/світу.Пороговое напруження замку можна визначити при струмі товару близько 3,5 мА для P-E-МОП і близько 4 мА для N-E-МОП.
Опис функціонального меню:
1 .Вимкнути
При введенні цієї функції тестер негайно вимкнеться.
ІН2.Транзистор
Перевірка транзистора, це також функція за замовчуванням при включенні.
Н3 .Частота
Для частот нижче 25 кГц за звичайним вимірюванням слід вимірювання часу періоду.Цей додатковий вимірювання слід тільки після звичайного вимірювання частоти.
n4f-генератор
Генерація сигналу, ця функція може видавати квадратні хвилі з різною частотою на вибір.
ІН5.10-бітний ШІМ
Функція "10-бітна ШІМ" (широко-імпульсна модуляція) генерує фіксовану частоту (7812,5 Гц) з вибраним імпульсом.
В комплект включають:
1 x GM328A зібраний транзистор тестер LCR диод ESR потужність вимірювач
При введенні цієї функції тестер негайно вимкнеться.
ІН2.Транзистор
Перевірка транзистора, це також функція за замовчуванням при включенні.
Н3 .Частота
Для частот нижче 25 кГц за звичайним вимірюванням слід вимірювання часу періоду.Цей додатковий вимірювання слід тільки після звичайного вимірювання частоти.
n4f-генератор
Генерація сигналу, ця функція може видавати квадратні хвилі з різною частотою на вибір.
ІН5.10-бітний ШІМ
Функція "10-бітна ШІМ" (широко-імпульсна модуляція) генерує фіксовану частоту (7812,5 Гц) з вибраним імпульсом.
В комплект включають:
1 x GM328A зібраний транзистор тестер LCR диод ESR потужність вимірювач
Характеристики ESR LCR тестер GM328A
- БрендSxemki
- Питание9V
- Вес (гр.)64
- Гарантія1 міс.
- SKU1815563450