SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW)

#1133 - в категории
SSD накопители
Код товара: P00010ER
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №1
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №2
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №3
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №4
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №5
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №6
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №1
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №2
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №3
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №4
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №5
SSD накопитель Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW), миниатюра №6
  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    1 ТБ
  • Форм-фактор SSD
    M.2
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-E 3.0 (x4)
  • Наработка на отказ
    1.5 млн.часов
Нет в наличии

Хотите продавать на Synthetic?

Зарегистрируйтесь продавцом.

Подробнее

Похожие товары

Описание Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW)

Samsung 960 EVO объединяет контроллер Polaris с современной TLC 3D V-NAND третьего поколения, применяемой в 850 EVO. Трёхмерная TLC-память компании Samsung обеспечивает очень достойную скорость и выносливость, а по 960 PRO известно, что мощность контроллера Polaris позволяет почти полностью реализовать пропускную способность интерфейса PCI Express 3.0 x4. А это значит, что от Samsung 960 EVO можно ожидать очень многого, и в первую очередь – близкой с 960 PRO производительности при гораздо более доступной цене.

Polaris – это самый мощный контроллер для NVMe-накопителей потребительского класса, который существует на данный момент. Samsung Polaris основывается на пятиядерном ARM-процессоре, одно из ядер которого полностью отдано под обслуживание операций обмена данными с хостом. Для работы с флеш-памятью контроллер Polaris использует классическую восьмиканальную схему. В Samsung 960 EVO в его восьми каналах устанавливается TLC 3D V-NAND третьего поколения – именно это и отличает данный накопитель от 960 PRO, где применена MLC 3D V-NAND.

Добавление к Samsung 960 EVO динамического SLC-кеширования позволило увеличить размер области, в которую возможна быстрая запись. Даже в младшей версии накопителя ёмкость объединённого кеша доходит до 13 Гбайт, а это – больше размеров папок, с которыми в типичных персональных компьютерах могут одномоментно проводиться операции записи.

Характеристики Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW)

  • Тип SSD
    внутренний
  • Емкость диска
    1 ТБ
  • Тип флеш-памяти
    VNAND
  • Форм-фактор SSD
    M.2
  • Интерфейсы и подключения
    PCI-E 3.0 (x4)
  • Скорость чтения, макс.
    3200 Mb/s
  • Скорость записи, макс.
    1900Mb/s
  • Наработка на отказ
    1.5 млн.часов
  • Страна производства
    Южная Корея
  • Бренд
    Samsung

Отзывы по товару Samsung 1ТБ M.2 PCI-E 3.0 (x4) VNAND (MZ-V6E1T0BW)