Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW

Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW, фото №1
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW, фото №2
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW, фото №3
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW, фото №4
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW, фото №5
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW, фото №6
  • Тип SSD
    внутрішній
  • Ємність диска
    1 ТБ
  • Тип флеш-пам’яті
    V-NAND
  • Інтерфейси і підключення
    PCI-E
  • Напрацювання на відмову
    1.5 млн. г
Упс..🥺 цей товар ще не має пропозицій
Поверніться пізніше або перегляньте схожі товари
  • Про товар
  • Опис товару
  • Характеристики
  • Відгуки

Опис
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW

Samsung 960 EVO объединяет контроллер Polaris с современной TLC 3D V-NAND третьего поколения, применяемой в 850 EVO. Трёхмерная TLC-память компании Samsung обеспечивает очень достойную скорость и выносливость, а по 960 PRO известно, что мощность контроллера Polaris позволяет почти полностью реализовать пропускную способность интерфейса PCI Express 3.0 x4. А это значит, что от Samsung 960 EVO можно ожидать очень многого, и в первую очередь – близкой с 960 PRO производительности при гораздо более доступной цене.

Polaris – это самый мощный контроллер для NVMe-накопителей потребительского класса, который существует на данный момент. Samsung Polaris основывается на пятиядерном ARM-процессоре, одно из ядер которого полностью отдано под обслуживание операций обмена данными с хостом. Для работы с флеш-памятью контроллер Polaris использует классическую восьмиканальную схему. В Samsung 960 EVO в его восьми каналах устанавливается TLC 3D V-NAND третьего поколения – именно это и отличает данный накопитель от 960 PRO, где применена MLC 3D V-NAND.

Добавление к Samsung 960 EVO динамического SLC-кеширования позволило увеличить размер области, в которую возможна быстрая запись. Даже в младшей версии накопителя ёмкость объединённого кеша доходит до 13 Гбайт, а это – больше размеров папок, с которыми в типичных персональных компьютерах могут одномоментно проводиться операции записи.

Характеристики
Внутренний накопитель Samsung 1 ТБ M.2 PCI-E 3.0 x4 VNAND MZ-V6E1T0BW

  • Тип SSDвнутрішній
  • Ємність диска1 ТБ
  • Форм-факторM.2
  • Тип флеш-пам’ятіV-NAND
  • Інтерфейси і підключенняPCI-E
  • Швидкість читання, макс.3200 Мб/с
  • Швидкість запису, макс.1900 Мб/с
  • Напрацювання на відмову1.5 млн. г
  • Країна виробництваПівденна Корея
  • БрендSamsung
SPC: P00010ER
#9370 - в категорії SSD накопичувачі
#238103 - в категорії Ноутбуки та комп'ютери